齐纳二极管(二极管典型值)

齐纳二极管，二极管典型值？

硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v，反向击穿电压根据型号不同有很大差别，如

齐纳二极管(二极管典型值)

1N4001=50V、

1N4002=100V、

1N4003=200V

1N4004=4001

N4005=600

1N4006=800v

1N4007=1000v；锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v，反向击穿电压很小，一般为40V左右。

1.伏安特性

（1)正向特性：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。

(2)反向特性：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加。VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，

2.正向压降(Vf)

当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压称为二极管的。“正向压降”。說明此正向压降時通常必须注明对应之电流(Vf@If),而且一般应用状况下,系统会希望此二极管之正向压降愈小愈好。

稳压二极管1W是什么意思？

1、1W是稳压二极管的额定功率。

2、稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。[1] 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。

c12st二极管是什么？

c12st二极管是稳压二极管。

稳压二极管（又叫齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压，称为双向稳压管。